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北京瑞田达公司自产产品——第一大类 可控硅/二极管模块、整流桥 | ||||
之五 | |
MFC-K、MFX-K、MFK-K、MFA-K系列 快速晶闸管/二极管混合模块 (SCR/Diode Fast) |
特点 | 典型应用 | 说明 | ||
● 芯片与底板电气绝缘 | ● 逆变器 | ● VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+200V |
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● 国际标准封装 | ● 感应加热 | ● 除非另作说明,IGT、VGT、IH、VTM、VISO为常温测试值; | ||
● 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 | ● 斩波器 | 表中其他参数皆为在Tjm=115oC下测试值。 | ||
● 160A(含)以下模块皆为强迫风冷,200A(含)以上模块 | ● I2t=I2TSM × tw/2,tw=正弦半波电流底宽, | |||
既可强迫风冷,也可选用水冷 | 在50HZ下,I2t(10ms)=0.005I2TSM (A2S)。 | |||
● 安装简单,使用维修方便 | ● 型号栏(Type)中,,MF*-K表示MFC(C)--K、MFC(A)--K、MFX--K | |||
● 体积小,重量轻 | MFK--K、MFA--K中的任一种,MFX--K由MFC外加连接片构成。 | |||
MFC(C)--K
共阴串联
|
MFC(A)-K-
共阳串联
|
MFX--K
反并联
|
MFK--K
共阴对接
|
MFA--K
共阳对接
|
Type |
ITAV (A) IFAV (A) |
VDRM /VRRM |
IDRM /IRRM |
ITSM IFSM |
VTM VFM |
@ITM @IFM |
IGT |
VGT |
IH |
dv/dt |
di/dt |
tq |
trr |
Rjc |
VISO |
VT0 VF0 |
rT rF |
SA |
outline |
@TC=85oC |
(V) |
(mA) |
(KA) |
(V) |
(A) |
(mA) |
(V) |
(mA) |
(V/us) |
(A/us) |
(us) |
(us) |
(oC/w) |
(V) |
(V) |
(mΩ) |
(cm2) |
||
MF*-K 55Y | 55 |
600-1600 |
20 |
1.1 |
2.25 |
170 |
150 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 |
1.5 |
0.25 |
2500 |
0.85 |
8.23 |
1500 |
|
MF*-K 90Y | 90 |
600-1600 |
20
|
1.8
|
2.10
|
270 |
150 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 |
1.5 |
0.20 |
2500 |
0.85 |
4.63 |
2000 |
|
MF*-K 160Y | 160 |
600-1600 |
25
|
3.2
|
1.78
|
480 |
180 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 |
2.0 |
0.14 |
2500 |
0.85 |
1.94 |
3000 |
|
MF*-K 200Y | 200 |
600-1600 |
30
|
3.5
|
1.77
|
600 |
180 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 |
3.0 |
0.10 |
2500 |
0.90 |
1.45 |
5800 |
|
MF*-K 250Y | 250 |
600-1600 |
30 |
4.0 |
1.95 |
750 |
180 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 |
3.0 |
0.11 |
2500 |
0.90 |
1.40 |
7300 |
|
MF*-K 300Y | 300 |
600-1600 |
40 |
5.6 |
2.25
|
900 |
180 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 |
3.0 |
0.11 |
2500 |
0.90 |
1.50 |
10500 |
|
MF*-K 400Y | 400 |
600-1600 |
40 |
7.8
|
2.15
|
1200 |
200 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 |
4.0 |
0.07 |
2500 |
0.90 |
1.04 |
12000 |
|
S系列 水冷模块,都是压接式
|
|||||||||||||||||||
MF*-K 200S | 200 |
600-1600 |
30 |
3.5 |
1.77 |
600 |
180 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 | 3.0 |
0.14 |
2500 |
0.90 |
1.45 |
-- |
|
MF*-K 250S | 250 |
600-1600 |
30 |
4.0 |
1.95 |
750 |
180 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 | 3.0 |
0.12 |
2500 |
0.90 |
1.40 |
-- |
|
MF*-K 300S | 600 |
600-1600 |
40 |
5.6 |
2.25 |
900 |
180 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 | 3.0 |
0.11 |
2500 |
0.90 |
1.50 |
-- |
|
MF*-K 400S | 600 |
600-1600 |
40 |
7.8 |
2.25 |
1200 |
180 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 | 3.0 |
0.09 |
2500 |
0.90 |
1.13 |
-- |
|
MF*-K 500S | 600 |
600-1600 |
40 |
9.0 |
2.25 |
1500 |
180 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 | 4.0 |
0.08 |
2500 |
0.90 |
0.90 |
-- |
|
MF*-K 600S | 600 |
600-1600 |
40 |
10.8 |
2.25 |
1800 |
180 |
2.0 |
100 |
1000 |
200 |
15-35 | 4.0 |
0.07 |
2500 |
0.90 |
0.75 |
-- |
型号说明 和 参数符号说明 | |||||
● 型号栏(Type)中,MF*-K表示MFC(C)--K、MFC(A)--K、MFX--K、MFK--K、MFA--K中的任一种,MFX--K由MFC外加连接片构成。 | |||||
● 型号栏(Type)中,MF*-K--Y表示压接式,MF*-K--S表示水冷。 | |||||
di/dt 通态电流临界上升率 | dv/dt 断态电压临界上升率 | I2t 电流平方时间积 | IDRM 断态重复峰值电流 | IGT 门极触发电流 | IH 维持电流 |
IRRM 反向重复峰值电流 | IFAV 正向平均电流 | ITAV 通态平均电流 | IFM 正向峰值电流 | ITM 通态峰值电流 | IFSM 正向不重复浪涌电流 |
ITSM 通态不重复浪涌电流 | rF 正向斜率电阻 | rT 通态斜率电阻 | Rjc 结壳热阻 | SA 推荐散热面积 | TC 壳温 |
Tjm 最高结温 | VDRM 断态重复峰值电压 | VDSM 断态不重复峰值电压 | VGT 门极触发电压 | VISO 绝缘电压 | VRRM 反向重复峰值电压 |
VRSM 反向不重复峰值电压 | VFM 正向峰值电压 | VTM 通态峰值电压 | VFO 正向门槛电压 | VTO 通态门槛电压 | outline 外形 |
tq 快速可控硅关断时间 | trr 快速二极管恢复时间 |
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