北京瑞田达公司自产产品——第一大类 可控硅/二极管模块、整流桥 | ||||
之十二 | |
MD 系列(非绝缘型)单二极管模块 -- Single Diode (Non-isolated)
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MD(i) 系列(绝缘型)单二极管模块-- Single Diode (isolated) |
特点 | 典型应用 | 说明 | |
● 非绝缘型,底板为一电极 | ● 电焊机电源 | ● VRSM=VRRM+200V |
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● 绝缘型,阴极阳极在模块顶端 | ● 各种直流电源 | ● 除非另作说明,VFM、VISO为常温测试值, | |
● 国际标准封装 | ● 各种交直流电机控制 | 表中其他参数皆为在Tjm下测试值。 | |
● 全压接结构,优良的温度特性,和功率循环能力 | ● I2t=I2FSM × tw/2,tw=正弦半波电流底宽, | ||
在50HZ下,I2t(10ms)=0.005I2FSM (A2S)。 | |||
MD
单可控硅(非绝缘型) |
MD(i)
单可控硅(绝缘型) |
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Type |
IF (A) |
VRRM |
IRRM |
IFSM |
VFM |
@IFM |
Tjm |
Rjc |
VF0 |
rF |
VISO |
SA |
outline |
Type |
@TC =85oC |
(V) |
(mA) |
(KA) |
(V) |
(A) |
(oC) |
(oC/w) |
(V) |
(mΩ) |
(V) |
(cm2) |
|||
MD 100Y | 100 |
600-2000 |
8 |
3.3 |
1.35
|
300 |
150 |
0.15 |
0.75 |
2.00 |
-- |
1000 |
MD 100Y |
|
MD 160Y | 160 |
600-2500 |
12 |
5.3 |
1.35
|
480 |
150 |
0.10 |
0.75 |
1.25 |
-- |
1500 |
MD 160Y |
|
MD 200Y | 200 |
600-2500 |
12 |
6.6 |
1.35
|
600 |
150 |
0.10 |
0.75 |
1.00 |
-- |
1800 |
MD 200Y |
|
MD 300Y | 300 |
600-2500 |
15 |
7.0 |
1.40
|
900 |
150 |
0.10 |
0.75 |
0.72 |
-- |
2200 |
MD 300Y |
|
MD(i) 55H | 55 |
600-2000 |
6 |
1.10 |
1.20
|
170 |
140 |
0.53 |
0.80 |
2.35 |
2500 |
600 |
MD(i) 55H |
|
MD(i) 250Y | 250 |
600-2500 |
12 |
7.0 |
1.35
|
750 |
150 |
0.05 |
0.75 |
0.80 |
2500 |
2500 |
DM4-50Y2 | MD(i) 250Y |
MD(i) 300Y | 300 |
600-2500 |
15 |
7.5 |
1.40
|
900 |
150 |
0.05 |
0.75 |
0.72 |
2500 |
3000 |
MD(i) 300Y |
|
MD(i) 400Y | 400 |
600-2500 |
15 |
10.0 |
1.40
|
1200 |
150 |
0.05 |
0.75 |
0.54 |
2500 |
3500 |
MD(i) 400Y |
|
MD(i) 500Y | 500 |
600-2500 |
15 |
12.5 |
1.40
|
1500 |
150 |
0.05 |
0.75 |
0.43 |
2500 |
4000 |
MD(i) 500Y |
参数符号说明 | |||||
I2t 电流平方时间积 | IRRM 反向重复峰值电流 | IFAV 正向平均电流 | IFM 正向峰值电流 | IFSM 正向不重复浪涌电流 | rF 正向斜率电阻 |
Rjc 结壳热阻 | SA 推荐散热面积 | TC 壳温 | Tjm 最高结温 | VISO 绝缘电压 | VRRM 反向重复峰值电压 |
VRSM 反向不重复峰值电压 | VFM 正向峰值电压 | VFO 正向门槛电压 | outline 外形 |
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