北京瑞田达公司自产产品——第一大类 可控硅/二极管模块、整流桥 | ||||
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MDQ 系列单相整流桥
(Single Phase Bridge) |
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之七 | MFQ、MFQ(X)、MFQ(Z) 系列单相半控桥 (Single Phase Half-Controled Bridge) | |||
MTQ 系列单相全控桥 (Single Phase Full-Controled Bridge) |
特点 | 典型应用 | 说明 | |
● 芯片与底板电气绝缘 | ● 直流电机励磁电源 | ● VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+200V |
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● 国际标准封装 | ● 各种整流电源 | ● 除非另作说明,IGT、VGT、IH、VTM、VFM、VISO为常温测试值, | |
● 氮气保护焊接结构,优良的温度特性和功率循环能力 | ● 直流电源 | 表中其他参数皆为在Tjm=125 oC(可控硅)或Tjm=150 oC(二极管)下测试值。 | |
● 安装简单,使用维修方便 | ● 电机软启动 | ● I2t=I2FSM × tw/2,tw=正弦半波电流底宽, | |
● 体积小,重量轻 | ● 逆变电焊机 | 在50HZ下,I2t(10ms)=0.005I2FSM (A2S)。 | |
● 最高工作结温达150oC | ● 电池充电直流电源 | ||
● 正向压降小 | ● 开关电源的输入整流 | ||
● 软启动电容器充电 | |||
MDQ
单相整流桥 |
MFQ
单相半控桥 |
MFQ(X)
单相半控桥 (带续流二极管) |
MFQ(Z) 单相半控桥 (可控硅在同一侧) |
MTQ
单相全控桥 |
MDQ 单相整流桥 |
Type |
Io (A) |
VRRM |
IRRM |
IFAV (A) |
IFSM |
VFM |
@IFM |
I2t |
Rjc |
VISO |
VF0 |
rF |
SA |
outline |
Type |
@TC =100 oC |
(V) |
(mA) |
@TC =100 °C | (KA) |
(V) |
(A) |
(A2S×104) |
(oC/w) |
(V) |
(V) |
(mΩ) |
(cm2) |
|||
MDQ 2O | 20 |
600-1800 |
6 |
10 |
0.30 |
1.15
|
30 |
0.045 |
0.65 |
2500 |
0.80 |
11.6 |
800 |
MDQ 2O |
|
MDQ 40 | 40 |
600-1800 |
6 |
20 |
0.60 |
1.15
|
60 |
0.180 |
0.55 |
2500 |
0.80 |
5.83 |
1200 |
MDQ 40 |
|
MDQ 60 | 60 |
600-1800 |
6 |
30 |
0.90 |
1.15
|
90 |
0.405 |
0.53 |
2500 |
0.80 |
3.88 |
1800 |
MDQ 60 |
|
MDQ 80 | 80 |
600-1800 |
8 |
40 |
1.20 |
1.15
|
120 |
0.720 |
0.32 |
2500 |
0.80 |
2.91 |
2400 |
MDQ 80 |
|
MDQ 100 | 100 |
600-1800 |
8 |
50 |
1.50 |
1.15
|
150 |
1.125 |
0.28 |
2500 |
0.80 |
2.33 |
3000 |
MDQ 100 |
|
MDQ 150 | 150 |
600-1800 |
10 |
75 |
2.30 |
1.15
|
230 |
2.645 |
0.15 |
2500 |
0.80 |
1.52 |
4500 |
MDQ 150 |
|
MDQ 200 | 200 |
600-1800 |
10 |
100 |
3.00 |
1.15
|
300 |
4.50 |
0.13 |
2500 |
0.80 |
1.17 |
6000 |
MDQ 200 |
MFQ、MFQ(X)、MFQ(Z) 单相半控桥 | 下表中,MFQ* 表示MFQ、MFQ(X)、MFQ(X)中的任一种 |
Type |
Io (A) |
VDRM VRRM |
IDRM IRRM |
ITAV (A) IFAV (A) |
ITSM IFSM |
VTM VFM |
@ITM @IFM |
IGT |
VGT |
IH |
dv/dt |
di/dt |
Rjc |
VISO |
VT0 VF0 |
rT rF |
SA |
outline |
Type |
@TC =100 oC |
(V) |
(mA) |
@TC =100 oC |
(KA) |
(V) |
(A) |
(mA) |
(V) |
(mA) |
(V/us) |
(A/us) |
(oC/w) |
(V) |
(V) |
(mΩ) |
(cm2) |
|||
MFQ* 40 | 40 |
600-1800 |
6 |
20 |
0.60 |
1.45/1.15
|
60 |
50
|
1.0 |
60 |
800 |
50 |
0.55 |
2500 |
0.80 |
10.8/5.83 |
1200 |
MFQ* 40 |
|
MFQ* 60 | 60 |
600-1800 |
6 |
30 |
0.90 |
1.45/1.15
|
90 |
50
|
1.0 |
60 |
800 |
50 |
0.53 |
2500 |
0.80 |
7.22/3.88 |
1800 |
MFQ* 60 |
|
MFQ* 80 | 80 |
600-1800 |
8 |
40 |
1.20 |
1.45/1.15
|
120 |
50
|
1.0 |
60 |
800 |
50 |
0.32 |
2500 |
0.80 |
5.42/2.91 |
2400 |
MFQ* 80 |
MTQ 单相全控桥 |
Type |
Io (A) |
VDRM VRRM |
IDRM IRRM |
ITAV (A) |
ITSM |
VTM |
@ITM |
IGT |
VGT |
IH |
dv/dt |
di/dt |
Rjc |
VISO |
VT0 |
rT |
SA |
outline |
Type |
@TC =100 oC |
(V) |
(mA) |
@TC =100 oC | (KA) |
(V) |
(A) |
(mA) |
(V) |
(mA) |
(V/us) |
(A/us) |
(oC/w) |
(V) |
(V) |
(mΩ) |
(cm2) |
|||
MTQ 40 | 40 |
600-1800 |
8 |
20 |
0.60 |
1.45
|
60 |
50 |
1.0 |
60 |
800 |
50 |
0.55 |
2500 |
0.80 |
10.8 |
1200 |
MTQ 40 |
|
MTQ 60 | 60 |
600-1800 |
10 |
30 |
0.90 |
1.45
|
90 |
50
|
1.0 |
60 |
800 |
50 |
0.32 |
2500 |
0.80 |
7.22 |
2000 |
MTQ 60 |
参数符号说明 | |||||
di/dt 通态电流临界上升率 | dv/dt 断态电压临界上升率 | I2t 电流平方时间积 | IDRM 断态重复峰值电流 | IGT 门极触发电流 | IH 维持电流 |
IRRM 反向重复峰值电流 | IFAV 正向平均电流 | ITAV 通态平均电流 | IFM 正向峰值电流 | ITM 通态峰值电流 | IFSM 正向不重复浪涌电流 |
ITSM 通态不重复浪涌电流 | rF 正向斜率电阻 | rT 通态斜率电阻 | Rjc 结壳热阻 | SA 推荐散热面积 | TC 壳温 |
Tjm 最高结温 | VDRM 断态重复峰值电压 | VDSM 断态不重复峰值电压 | VGT 门极触发电压 | VISO 绝缘电压 | VRRM 反向重复峰值电压 |
VRSM 反向不重复峰值电压 | VFM 正向峰值电压 | VTM 通态峰值电压 | VFO 正向门槛电压 | VTO 通态门槛电压 | outline 外形 |
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