|
|
| 北京瑞田达公司自产产品——第一大类 可控硅/二极管模块、整流桥 | ||||
| 之十一 | |
MT 系列(非绝缘型)单可控硅模块 -- Single SCR (Non-isolated)
|
||
| MT(i) 系列(绝缘型)单可控硅模块-- Single SCR (isolated) | ||||
| 特点 | 典型应用 | 说明 | |
| ● 非绝缘型，底板为一电极 | ● 电焊机电源 | ● VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+200V |
|
| ● 绝缘型，阴极阳极在模块顶端 | ● 各种直流电源 | ● 除非另作说明，IGT、VGT、IH、VTM、VISO为常温测试值， | |
| ● 国际标准封装 | ● 各种交直流电机控制 | 表中其他参数皆为在Tjm下测试值。 | |
| ● 全压接结构，优良的温度特性，和功率循环能力 | ● I2t=I2TSM × tw/2，tw=正弦半波电流底宽， | ||
| 在50HZ下，I2t(10ms)=0.005I2TSM (A2S)。 | |||
MT
单可控硅(非绝缘型) |
lianjietu.jpg){kind=small} |
MT(i)
单可控硅(绝缘型)
|
|
||
 |
 |
||||
Type |
IT (A) |
VDRM VRRM |
IDRM IRRM |
ITSM |
VTM |
@ITM |
IGT |
VGT |
IH |
dv/dt |
di/dt |
Tjm |
Rjc |
VT0 |
rT |
VISO |
SA |
outline |
Type |
@TC =85oC |
(V) |
(mA) |
(KA) |
(V) |
(A) |
(mA) |
(V) |
(mA) |
(V/us) |
(A/us) |
(oC) |
(oC/w) |
(V) |
(mΩ) |
(V) |
(cm2) |
|||
| MT 100Y | 100 |
600-2000 |
8 |
3.3 |
1.60
|
300 |
60
|
1.5 |
100 |
800 |
100 |
125 |
0.15 |
0.8 |
2.67 |
-- |
1000 |
MT 100Y |
|
| MT 160Y | 160 |
600-2500 |
12 |
5.3 |
1.60
|
480 |
70
|
1.5 |
100 |
800 |
100 |
125 |
0.10 |
0.8 |
1.67 |
-- |
1800 |
MT 160Y |
|
| MT 200Y | 200 |
600-2500 |
12 |
6.6 |
1.60
|
600 |
80
|
1.5 |
100 |
800 |
100 |
125 |
0.10 |
0.8 |
1.33 |
-- |
2200 |
MT 200Y |
|
| MT 300Y | 300 |
600-2500 |
15 |
7.0 |
1.65
|
900 |
80
|
1.5 |
100 |
800 |
100 |
125 |
0.10 |
0.8 |
0.94 |
-- |
2800 |
MT 300Y |
|
| MT(i) 55H | 55 |
600-1800 |
6 |
0.83 |
1.44
|
170 |
60 |
1.0 |
80 |
800 |
50 |
115 |
0.53 |
0.85 |
3.47 |
2500 |
600 |
MT(i) 55H |
|
| MT(i) 250Y | 250 |
600-2500 |
12 |
7.0 |
1.50
|
750 |
90
|
1.5 |
100 |
800 |
100 |
125 |
0.05 |
0.8 |
0.93 |
2500 |
2500 |
DM4-50Y2 | MT(i) 250Y |
| MT(i) 300Y | 300 |
600-2500 |
15 |
7.5 |
1.55
|
900 |
90
|
1.5 |
100 |
800 |
100 |
125 |
0.05 |
0.8 |
0.93 |
2500 |
3000 |
MT(i) 300Y |
|
| MT(i) 400Y | 400 |
600-2500 |
15 |
10.0 |
1.65
|
1200 |
100
|
1.5 |
100 |
800 |
100 |
125 |
0.05 |
0.8 |
0.54 |
2500 |
3500 |
MT(i) 400Y |
|
| MT(i) 500Y | 500 |
600-2500 |
15 |
12.5 |
1.70
|
1500 |
100
|
1.5 |
100 |
800 |
100 |
125 |
0.05 |
0.8 |
0.60 |
2500 |
4000 |
MT(i) 500Y |
| 参数符号说明 | |||||
| di/dt 通态电流临界上升率 | dv/dt 断态电压临界上升率 | I2t 电流平方时间积 | IDRM 断态重复峰值电流 | IGT 门极触发电流 | IH 维持电流 |
| IRRM 反向重复峰值电流 | IFAV 正向平均电流 | ITAV 通态平均电流 | IFM 正向峰值电流 | ITM 通态峰值电流 | IFSM 正向不重复浪涌电流 |
| ITSM 通态不重复浪涌电流 | rF 正向斜率电阻 | rT 通态斜率电阻 | Rjc 结壳热阻 | SA 推荐散热面积 | TC 壳温 |
| Tjm 最高结温 | VDRM 断态重复峰值电压 | VDSM 断态不重复峰值电压 | VGT 门极触发电压 | VISO 绝缘电压 | VRRM 反向重复峰值电压 |
| VRSM 反向不重复峰值电压 | VFM 正向峰值电压 | VTM 通态峰值电压 | VFO 正向门槛电压 | VTO 通态门槛电压 | outline 外形 |
|
Copyright © 2006-2008 All Rights
Reserved 版权所有 北京瑞田达技贸有限责任公司 最后更新时间：2007/4/30 地址：海淀区上地信息路1号国际科技创业园1号楼302 邮编：100085 电话：010-82895337 82893676 82893160 传真：010-82895621 京ICP备05079211号 IGBT模块 |