
	电力电子器件金牌供应商

本公司自产产品

第一类可控硅模块/二极管模块/整流桥

第二类可控硅、二极管分立器件

第三类可控硅触发板和功率单元

第四类其它配套元器件

1. 可控硅触发脉冲变压器

2. 阻容吸收模块

3. 无感电阻

第五类肖特基模块/肖特基二极管

进口元器件代理

1. IGBT模块

优派克EUPEC 600V-6500V各规格IGBT模块(如BSM、FF、FZ、FP系列)

三菱Mitsubishi CM系列标准IGBT模块、PM系列智能IGBT

东芝TOSHIBA MG系列IGBT模块、MIG系列智能IGBT

西门康SEMIKRON SKM系列600V、1200V、1700V IGBT模块

富士FUJI 标准IGBT(1MBI、2MBI、6MBI),智能IPM(6MBP、7MBP、7MBR),

2. IGBT单管

优派克EUPEC 600V、1200V各种规格IGBT单管

东芝TOSHIBA GT系列900V、1500V IGBT单管

仙童Fairchild SGH、SGL、FGL系列600V、1200V、1500V、1700V IGBT单管

富士FUJI 1MBH、1MBK系列600V、1200V IGBT单管

3. IGBT驱动电路和IGBT驱动板

优派克EUPEC 2ED、6ED系列IGBT驱动板

三菱Mitsubishi IGBT驱动厚膜电路如M57962L、M57962AL、M57959

西门康SEMIKRON SKYPER、SKHI系列IGBT驱动板

富士FUJI EXB841、EXB840

瑞士CONCEPT 1GD、1HD、2SD、6SD系列IGBT驱动板

美国IR IGBT驱动电路 IR2110、IR2130

4. 进口可控硅模块、二极管模块

优派克EUPEC TT、TZ、TD、DT、DD、DZ系列可控硅二极管模块

西门康SEMIKRON SKKT、SKKH、SKKL、SKKD、SKET、SKKE系列可控硅二极管模块

德国IXYS MCC、MCD、MDC可控硅模块；MDD二极管模块；MCO大电流水冷系列

三社SanRex PK、PD、PE、KK系列可控硅模块；DD、KD二极管模块、PWB系列焊机模块

5. 进口可控硅分立器件

优派克EUPEC T系列可控硅

东芝TOSHIBA SF系列可控硅、SG系列GTO

西门康SEMIKRON SKT系列可控硅

西码WESTCODE N系列相控可控硅、R系列快速可控硅

美国IR ST**C*系列平板可控硅、ST**S*系列螺栓可控硅

意大利POSEICO AT系列相控可控硅

瑞士ABB 5STP系列可控硅、5SGA系列GTO

DYNEX DCR系列可控硅

6. 进口二极管分立器件

优派克EUPEC D**N*系列二极管、D**S*系列快速二极管

西门康SEMIKRON SKN系列二极管,SKN*F、SKR*F系列快速二极管

西码WESTCODE SM系列快速二极管、SW系列普通二极管

美国IR SD**C** 系列平板型二极管，**HF**、**HR** 系列螺栓型二极管

瑞士ABB 5SDD系列焊接二极管、5SDD系列普通二极管

7. 进口单相整流桥、三相整流桥

西门康SEMIKRON SKB、SKD、SKCH、SKDH、SKBT、SKDT系列整流桥

富士FUJI 6RI系列三相桥

德国IXYS VBO、VHF、VUO、VVZ、VGO、VVZF、VTO、VTOF系列整流桥

三社SanRex DF、DWF、DWR、PWB系列整流桥

8. 快恢复二极管

德国IXYS DSEI、DH、MEO、MEE、MEA、MEK系列快恢复二极管

韩国Dawin DW、DA、DB系列快恢复二极管模块

美国安森美Onsem MUR系列快恢复二极管

9. 无感电容

台湾CD MPA系列无感电容

EACO STM系列IGBT直接安装型无感电容

EUROPTRONIC EUROPTRONIC直接安装型方壳IGBT吸收电容

10. 电解电容

美国CDE DCMCE系列电解电容

日立Hatachi HCGFA、HCGF5A系列电解电容

11. 可关断可控硅（GTO）

三菱Mitsubishi FG系列可关断可控硅（GTO）

东芝TOSHIBA SG系列可关断可控硅（GTO）

瑞士ABB 5SGA系列可关断可控硅（GTO）

其他公司西码WG系列、富士EF系列、日立GFP系列、DYNEX公司DG系列可关断可控硅（GTO）


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肖特基,肖特基模块,肖特基二极管,肖特基二极管模块,MBRP400100CT

本公司电子器件厂专业生产：肖特基，肖特基二极管，肖特基模块

一、知识点

   肖特基SBD是肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的，因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
    SBD的主要优点包括两个方面：
    1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
    2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
    SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。

二、产品介绍

1. 规格

本公司引进美国onsem（安森美）公司的优质芯片，采用特殊的封装工艺生产出YF系列共阴肖特基二极管模块，具有超低损耗、超高速、多子导电、大电流、均流效果好等优点。特别适合6V ～24V高频电镀电源，同等通态条件下比采用快恢复二极管模块，底板温度低14℃以上，节能9% ～13%。

具体规格见下表：

型号	平均电流（A）	电压	正向峰值压降	最高工作频率	外型	工作温度
MBR300100CT	300A	100V	0.80V @450A	100KHZ	双塔型	-40 ～ +90℃
MBR400100CT	400A		0.96V @600A	100KHZ	双塔型
MBR500100CT	500A		0.80V @750A	50KHZ	共模型
MBR600100CT	600A		0.96V @900A	50KHZ	共模型
MBR30050CT	300A	50V	0.70V @450A	100KHZ	双塔型	-40 ～ +90℃
MBR40050CT	400A		0.85V @600A	100KHZ	双塔型
MBR50050CT	500A		0.70V @750A	50KHZ	共模型
MBR60050CT	600A		0.85V @900A	50KHZ	共模型

2. 外型

双塔型	共模型
尺寸：长92 * 宽20 * 高15.4mm 黄铜端子孔径：公制M6 底板材料：3mm镀镍紫铜，防震、防潮、防酸	尺寸：长92 * 宽25 * 高15.4mm 黄铜端子孔径：公制M8 底板材料：3mm镀镍紫铜防震、防潮、防酸

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